半导体及显示器工业的制造方法是在硅半导体或玻璃基材上制造电子线路,而黄光微影是定义图形的关键技术,其中包括涂布、曝光、显影三个主要过程。涂布光刻胶曝光后,发生光化学反应,会改变原有化学特性,显影后将受光的区域中和,留下未曝光区的光刻胶,完成图形定义。上述过程的共同目标是缩小所定义图形的特征线宽,本论文从显影液中光刻胶的浓度出发,研究了其对特征线宽的影响规律,具体研究内容和取得的研究成果如下:(1)探究了黄光微影中回收药液的特性,重点研究了显影液中的光刻胶浓度与吸光度之间的关系,并且对光刻胶浓度在显影液中的反应机理进行了系统分析,研究结果表明光刻胶能降低显影液的表面自由能,并随光刻胶浓度的提升,显影能力也随着提升。(2)研究了光罩掩模板的图形密度分布对特征线宽的影响规律,结果表明遮蔽面外高密度图形会影响面内低密度图形的特征线宽,图形密度与特征线宽成正比关系,降低图形密度可缩小特征线宽。(3)研究了特征线宽测试设备的可靠性,结果表明测试设备的可靠性和稳定性均在误差范围内。进一步研究了软烤时间、软烤温度、显影时间、减压干燥时间和显影液中的光刻胶浓度对特征线宽的影响,结果表明显影液中的光刻胶浓度是特征线宽的关键影响因素。(4)研究了光刻胶浓度对特征线宽的影响规律,发现光刻胶浓度与特征线宽在0.16abs至0.21abs范围内呈线性关系,在0.05abs至0.13abs范围内呈二次函数关系,基于此规律得出光刻胶在0.092abs最优浓度下,特征线宽的标准差由0.12降低至0.073,可将特征线宽降低81.3%,上述规律研究为后续制作特征线宽更小的高规格产品提供了一定的指导。