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基于酶放大策略的ATP荧光适体传感器的制备及应用
【机 构】
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天津工业大学
【出 处】
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天津工业大学
【发表日期】
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2021年01期
【基金项目】
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其他文献
InP作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,具有禁带宽度大、载流子迁移率快、光电转换效率高等特点,广泛用来制作各种高速高频器件、光电器件。掌握晶体生长中的传热与液相流动过程,对于优化InP单晶生产的工艺参数、提高单晶质量有着重要的意义。本文通过数值模拟的方法研究了垂直温度梯度法InP单晶生长过程中的温度场及流场的变化规律,并研究了旋转磁场对晶体生长过程中流场的影响。主要研究内容和结论如下:(1)研究了晶
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随着经济的发展,在大气环境监测、工业生产过程控制、污染排放监控等多种场景中对气体进行遥测的需求越来越多,激光吸收光谱能够进行长距离气体遥测,相比于电化学法、火焰光度法、气相色谱法等其它气体检测技术拥有明显的优势。现有的激光吸收光谱遥测技术通常基于直接检测的方法,其遥测距离和信噪比尤其依赖回波光功率,这导致在非合作目标遥测应用时检测性能大大受限。对同一吸收谱线,外差检测系统可实现的信噪比通常比直接检
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GaInSb和GaAlSb晶体作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,凭借其特有的电子迁移率高、带隙窄等优点,被广泛地应用于红外探测、激光雷达、光伏发电、集成电路、导航追踪等科技前沿领域。但由于GaInSb晶体中In元素存在较大的组分偏析,且制备的晶体中存在较多位错及微裂纹等缺陷,GaInSb晶体的结构和性能一直没有得到明显地提高。而对于GaAlSb晶体,大多都是通过外延生长技术来制备薄膜类的晶体材料
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