基于对常规VDMOS、超结Super Junction和高K材料的研究，研究了新型的高K介质槽功率MOSFET，旨在优化VDMOS的击穿电压与比导通电阻等性能，本文研究了四种具有高K介质槽的新型功率VDMOS器件。（1）具有高K介质槽的超结VDMOS（HK SJ VDMOS），该结构在常规的槽栅超结VDMOS的槽栅下方做了高K介质延伸槽。栅极、高K介质和漂移区形成了一个MIS电容，起到了辅助耗尽漂移区，提高了漂移区的掺杂浓度从而降低了比导通电阻，优化漂移区电场分布的作用，并且缓解了超结结构对电荷非平衡的敏感性的问题。仿真得到了击穿电压BV=180V，比常规SJ VDMOS结构提高12%，比导通电阻R_on,sp=1.58mΩ·cm²，比常规SJ VDMOS结构减小50%。然后提出了一种采用小角度注入形成超结的可行的工艺方案。（2）具有高K介质槽的槽栅VDMOS（HK TG VDMOS），与HK SJ VDMOS结构相比，避免了电荷非平衡的问题，可以做到更小元胞尺寸。仿真得到了BV=172V的击穿电压，比常规TG VDMOS提高15%，得到了R_on,sp=0.85m Ω·cm²的比导通电阻，比常规TG VDMOS减小了67%。（3）具有半高K介质槽的VDMOS（Semi-HK VDMOS），高K介质槽两边的漂移区由高掺杂的窄N柱区和低掺杂N型漂移区构成，N+漏区上方有N-buffer层作为漂移区的一部分，其厚度兼顾击穿电压和工艺难度。高K介质槽仍起到辅助耗尽和优化漂移区电场分布的作用，但无需考虑超结的电荷非平衡的问题。仿真得到了击穿电压BV=620V，比常规Semi-SJ结构提高了33%，得到了比导通电阻R_on,sp=10.8m Ω·cm²，比常规的Semi-SJ结构降低了12%。（4）具有高K介质槽和N/N-柱的低阻VDMOS（HK N/N-VDMOS），由于高K介质的引入会增大栅漏电容，因而会影响器件的动态特性。针对这个问题，这里介绍一种具有高K介质槽的低阻N/N-柱区的VDMOS结构，N/N-位于槽栅下方，高K介质槽在漂移区两侧对称分布。得到了击穿电压BV=176V，比常规的SJVDMOS提高了20%，仿真得到了比导通电阻R_on,sp=1.16m·cm²，比常规的SJVDMOS减小了58%。最后给出这种结构的可行的工艺步骤。