长春西汀晶体缺陷形成机理与关键性调控技术研究

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晶体缺陷研究是晶体学研究领域的重要分支,结晶过程中晶体缺陷的形成会对晶体产品的化学纯度和晶体性能产生重要影响。工业中通常采用优化结晶工艺参数的方法来消除不利的晶体缺陷,或者通过对晶体缺陷的调控以达到改善晶体粒子特性的目的,但是对于缺陷形成的机理尚不明确。因此,本课题选择长春西汀作为模型药物,通过对晶体缺陷形成过程中关键因素的考察探究了晶体缺陷的形成机理。
  通过重量分析法测定了在283.15K至323.15K范围内长春西汀在9种纯溶剂和乙醇-水二元溶剂中的溶解度。实验结果表明在已考察的溶剂体系中,长春西汀的溶解度随温度升高而增加。在乙醇-水二元体系中,随着乙醇组分的增加,溶解度增大。实验得到的溶解度数据采用多种热力学方程(改进的Apelblat方程,λh方程,NRTL方程以及CNIBS/R-K方程)进行关联,均得到了较好的关联结果。通过NRTL方程计算了长春西汀在不同溶剂中的活度系数,进一步计算了在不同溶剂中的混合热力学参数,结果表明长春西汀在被考察溶剂中的溶解均是自发且受熵驱动过程。
  借助显微拉曼分析确定了长春西汀的宏观晶体缺陷组成为液态包裹体和空腔孔洞。通过溶剂筛选实验,得到了长春西汀两种常见的晶体形貌(四边形多面体晶习I和六边形多面体晶习II)。利用氮气吸附和显微观察实验考察了温度和初始过饱和度对晶体缺陷的影响,结果表明结晶温度和初始过饱和度的提高促进晶体中缺陷的形成。搅拌-超声联合考察实验表明在长春西汀溶液结晶成核前引入超声处理可有效地促进成核并消除产品中的晶体缺陷。
  通过在线观察长春西汀在乙醇溶液中的晶体生长,发现了缺陷的形成发生在晶体生长过程中。结合分子动力学模拟研究了长春西汀晶体表面和纯溶剂之间的相互作用。借助改进后的附着能模型模拟了晶面分子排布状态和晶体生长过程,阐明了在长春西汀晶体生长过程中{(1 0 0)}晶面形成的―饥饿中心‖是晶体缺陷形成的主要诱导因素。
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