硅半导体材料作为IC主要的衬底材料,对其性能及辐照损伤的研究已有五十多年的历史。随着微电子工艺的发展,对硅衬底材料提出了越来越高的要求。但现有的研究方法均存在一定的局限性,迫切需要一种灵敏、快速、无损的研究手段。基于低频噪声的表征技术即具有上述的优点,而被广泛应用于半导体材料及器件的可靠性表征及寿命预测。硅衬底材料的辐射效应主要表现为少子寿命衰减和多子去除效应。在硅单晶太阳能电池中,硅衬底材料为器件的基区。本论文选用硅单晶太阳能电池器件,对辐照前后的电学参数和噪声参数进行测量,发现硅衬底材料的辐照损伤与电池的性能密切相关。实验发现,随辐照总剂量的增加,光电池的电参数与噪声参数均发生变化并有较好的对应关系。电参数的衰减与基区的少子寿命密切相关,主要表现为光电流减小,暗电流增加。噪声参数与势垒区的复合效应密切相关,主要表现为频率指数基本不变,噪声幅值呈增大趋势。在实验的基础上,建立了硅衬底材料辐照损伤的电学模型和噪声模型。由上面的实验和理论分析,发现衬底对器件的性能有明显的影响。到目前为止,关于1/f噪声的理论和模型各不相同,但是都是建立在两个基本涨落机制基础上,一个是载流子数涨落机制,另一个是载流子迁移率涨落机制。太阳能电池辐照损伤可以用数涨落模型解释,因此研究衬底辐照损伤的载流子数涨落问题时可以选用太阳能电池样品。为了考察衬底辐照损伤的迁移率涨落问题,本文设计了衬底电阻样品。通过理论分析,发现衬底电阻样品的噪声参数与样品的掺杂和几何参数密切相关。本论文主要从掺杂浓度和几何参数两个方面考虑样品的设计。理论模型和样品的设计需作下一步的流片进行实验验证。