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二硒化钼是过渡金属硫属化合物家族中一个典型的代表,具有窄带隙的优点(1.33-1.72 eV),被认为是潜在的光催化剂,在清洁能源领域的降解水污染方面具有极大地发展前景。目前二硒化钼的光催化活性仍然受到层状材料易堆积、较低的光吸收效率以及较高的光生电子空穴对复合率等缺点的限制。针对上述问题,众多的研究者试图通过调控形貌、掺杂、半导体复合以及晶型调整等各种有效的手段来克服以上限制,同时能够显著优化样品的光催化性能。本文采用晶型调整和半导体复合两个方法对晶体二硒化钼材料分别进行改性。利用简单的低温水热法