【摘 要】
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SiC由于禁带较宽，对可见光和近红外光都不敏感，其光电子学应用因而受到极大限制。在SiC上外延生长SiCGe薄膜，通过调节SiCGe中各组分的比例来调节SiCGe材料的禁带宽度，实现对近红外和可见光的较强吸收，进而开发碳化硅在光电子技术领域的新应用，具有很高的实用价值。本文介绍利用热壁化学气相沉积(HWCVD)法在SiC衬底上异质外延生长SiCGe合金薄膜的方法以及工艺条件对薄膜岛状生长特征的影响
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SiC由于禁带较宽，对可见光和近红外光都不敏感，其光电子学应用因而受到极大限制。在SiC上外延生长SiCGe薄膜，通过调节SiCGe中各组分的比例来调节SiCGe材料的禁带宽度，实现对近红外和可见光的较强吸收，进而开发碳化硅在光电子技术领域的新应用，具有很高的实用价值。本文介绍利用热壁化学气相沉积(HWCVD)法在SiC衬底上异质外延生长SiCGe合金薄膜的方法以及工艺条件对薄膜岛状生长特征的影响。主要结论如下：1．岛的形貌结构主要受控于生长温度。提高生长温度，薄膜表面自发形成的岛由金刚石型
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豆粕是大豆榨油后的副产物，其蛋白质含量高达40％～50％，含有人体所必需的8种氨基酸，为全价蛋白源。虽然豆粕中蛋白质含量丰富，但生豆粕中含有多种抗营养因子，主要包括大豆抗原蛋白、胰蛋白酶抑制剂等，这些抗营养因子阻碍营养成分的消化和吸收利用，并对动物的生长发育和健康造成不良影响。本课题的目标是通过筛选能有效降解豆粕中蛋白质的菌株和复合酶，进而以豆粕为原料来进行酶解发酵，使豆粕中的大分子蛋白质被降解，
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