铋和氟离子在多元材料中的射程分布和电子阻止本领研究

来源 :山东大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Joexie2005
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在该论文的工作中,我们研究了铋离子和氟离子在系列多元材料中的射程分布和电子阻止本领,包括以下几个方面的内容:1、在第二章和第三章中,我们简要叙述了离子与固体相互作用的理论基础,介绍了核阻止本领和电子阻止本领的计算方法和计算电子阻止本领的模型和结果以及注入离子在材料中的射程分布的模拟计算.2、在第四章中,我们报道了用卢瑟福背散射技术得到能量为80-300keV的铋离子注入AgGaSe<,2>和AgGaS<,2>晶体的射程分布的结果.3、在第五章中,我们报道了用共振核反应分析方法测量了<19>F<+>离子在KTP晶体(能量为80-330keV)、KTA晶体(能量为80-350keV)、KTN晶体(能量为80-350keV)和LiNbO<,3>晶体(能量为50-270keV)中的射程分布参数R<,p>和△R<,p>.4、在第六章中,我们报道了用共振核反应分析技术测量了能量从50-180keV的氟离子注入SnO<,2>薄膜和80-350keV的氟离子注入ITO薄膜中的射程分布.5、在第七章中,我们给出了氟离子在多元氧化物晶体KTP、KTA、KTN和LiNbO<,3>以及SnO<,2>和ITO薄膜的电子阻止本领.6、在第八章中,我们报道了能量为80-350keV的<19>F<+>离子在AgGaSe<,2>和AgGaS<,2>晶体中的电子阻止本领.
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