【摘 要】
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本文通过对金属化薄膜电容器损耗的理论分析,建立损耗(金属部分)分析模型,确定了影响金属化薄膜电容器损耗的主要工艺因素,并以金属化薄膜电容器CL21-400V-0.1μF,CL21-400V-
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本文通过对金属化薄膜电容器损耗的理论分析,建立损耗(金属部分)分析模型,确定了影响金属化薄膜电容器损耗的主要工艺因素,并以金属化薄膜电容器CL21-400V-0.1μF,CL21-400V-0.047μF,CBB21B-Z-400V-0.22μF:CBB21-400V-0.1μF,CBB21B-Z-400V-0.33μF,CBB21A-400V-0.01μF等典型产品为例,采用原材料比较和工艺参数优化法,找出了现有工艺条件下降低和稳定金属化薄膜电容器损耗的有效措施:1)低方阻金属化膜和边缘加厚金属化膜的使用有利于金属化薄膜电容器损耗的降低。2)喷金工序中,CBB21B-400V-0.1μF电容器在喷金枪距离为160mm时喷金,比传统的200mm时喷金具有明显的优越性,能够经受500V 10次充放电后,10kHz和100kHz损耗角正切值基本保持不变或仅有微小的变化,其它类型的电容器比照该种电容器适当调整喷金枪的距离也可得到最佳的工艺效果,达到稳定电容器损耗的目的。3)焊接工序中,焊接头恰当的机械压力,合理的定位距离是保证焊接质量,获得良好的芯体内部结构、优异电性能、稳定的损耗角正切值的关键。
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