熔融石英陶瓷已经成为第三代透波材料,在天线罩制作中获得广泛应用,而在天线罩工作过程中会受到不同程度的离子辐照,所以需要对材料进行离子辐照确定辐照对材料结构和性能的影响。本文以熔融石英陶瓷作为研究材料,对其进行不同能量和注量的氮离子辐照,借助介电性能测试、SEM、XRD、Raman、XPS等分析测试手段对辐照前后的材料进行分析测试,得到不同能量、注量的氮离子辐照对材料介电性能和内部组织结构的影响。熔融二氧化硅陶瓷经过辐照后,对其进行介电常数和损耗测试,其介电常数和损耗角正切值都有所增加,两者稳定性都有所下降。对其进行拉曼测试后发现,Si O2特征峰都有所下降随后经过更高能量注量的离子辐照后部分特征峰上升。对其进行扫描测试后发现,离子入射可以降低其表面粗糙度。经过XPS测试发现,辐照后内部会产生新的键和新的游离离子。经过模拟后发现材料中的O的溅射率大于Si的溅射率。结果表明,材料经过条件为110ke V,1×1015cm-2的氮离子辐照后的介电常数变化率最小。在110ke V,1E16cm-2的条件下,材料内部存在着大量的游离Si和O和N,在辐照条件为90ke V和110ke V,1E15cm-2时,材料内部没有游离的Si、N、O,三种离子结合成三种键,由于在这种情况下,离子的极化率由于形成的键而被限制,所以材料内部的极化率偏低,所以这两种材料的介电常数的变化率极低。所以材料内部的极化率会比90ke V和110ke V,1E15cm-2的条件下材料内部的极化率大,所以在前面的辐照条件下辐照过得材料的介电常数会大于后两者。