本论文研究了有机电致发光二极管中的界面问题，系统研究了有机电致发光二极管中阴极(金属)/有机界面、阳极/有机界面的物理与化学问题以及界面材料和界面特性对器件性能的影响。 研究了LiF，NaCl，NaI，KI，RbF，RbCl，CsF，CsCl，CaCl2，CaF2，BaF2，BaCl2以及两种乙酰丙酮类的有机盐Ca(acac)2和Li(acac)界面材料对电子注入特性的影响，在有机/阴极之间引入界面缓冲层不但降低了工作电压，也提高了亮度和效率，这种电致发光性能的改善被归功于电子注入效率的改善。研究发现，电子注入效率不仅和界面材料的厚度有关，也和材料的熔点、所含金属离子的功函数、介电常数息息相关，低熔点、低介电常数和含低功函数金属离子的界面层材料可以有效地提高电子的注入效率，改善器件性能，并且在界面层和Al电极之间引入Ca金属进一步改善了器件的亮度和效率。同时，用带有稳定性好的铁磁性金属Ni的LiF/Al/Ni复合阴极也制备出了高效率、高亮度有机发光二极管，器件的稳定性也得到了改善，这种改善一方面我们把它归功于Ni：Al合金的形成，导致电子注入效率的提高，另一方面，我们认为可能与磁性金属Ni的费米能级处的自旋极化作用有关，因为自旋极化作用很容易诱导电子自旋方向改变，从而有利于提高单重态激子的比例。 研究了C6H5COOLi，NaCl，NaI，KI，CsCl，CaF2，BaCl2，Eu2O3，Yb2O3，Teflon等界面缓冲层在ITO表面修饰后对器件电致发光性能的影响，同非修饰器件和CuPc器件相比，上述界面缓冲层的引入，不但亮度、效率得到了提高，工作电压得到了降低，而且器件稳定性也得到了明显改善。研究表明，在ITO表面上引入界面缓冲层不但改善了电子传输层和空穴传输层内的电场分布均匀性，也使电子传输层和空穴传输层内的电场强度大大降低，很好地解释了界面缓冲层的引入对器件性能改善的微观物理机制。研究发现，经缓冲层修饰后的器件，从ITO注入的空穴是隧穿的，而从阴极注入的电子则是热离子发射的，这对研究有机发光器件的工作机制，从而改善器件性能具有重要意义。 研究了并五苯和并五苯掺杂NPB作为空穴注入层在有机电致发光器件中的应用，在ITO表面蒸镀一层薄的并五苯或引入一层并五苯掺杂NPB空穴注入层不仅提高了器件的效率和亮度，更重要的是，器件的工作电压并没有发生明显的变化，这在实际应用中维持器件低的功率损耗是非常重要的，我们已经把并五苯和并五苯掺杂NPB空穴注入层的作用归功于在ITO上蒸镀并五苯后其表面粗糙度的改变以及并五苯掺杂空穴注入层对空穴的注入和传输的有效调控。 用瞬态电致发光方法研究了不同结构分子掺杂器件的载流子复合动力学过程，确定了载流子的复合系数，建立了材料与器件性能的关系。研究表明，侧链取代基供电性越强或共轭性越大，载流子复合系数就越高，器件的电致发光效率就越好。显然，这部分工作的取得不仅为进一步阐明有机电致发光器件的工作机制奠定了基础，也为材料设计与合成提供了理论指导。