由于能源需求日益增加，使得人们不断地开发低成本和高效率的光电材料。三元的I-III-VI族化合物半导体材料如CuInS₂, CuInSe₂, CuIn_xGa_1-xSe₂和CuGaSe₂等，有与太阳光谱匹配的带隙、大的吸收系数和好的光化学稳定性，可以代替CdS、CdTe等，成为重要的、高效的、有前景的光伏材料。在本文中，我们用溶剂热法成功地合成了CuGaSe₂纳米晶，通过控制硒源来调节CuGaSe₂纳米晶的形貌和尺寸。我们用X射线衍射仪、透射电镜和扫描电镜对其晶体结构和形貌进行了表征，并初步研究了纳米晶的光学性质。此外，PbSe纳米晶是重要的IV-VI族半导体纳米材料，由于在红外探测、光电器件和热电材料等众多领域中具有卓越的性能和应用价值，近年来受到人们更广泛的关注和研究。我们介绍一种绿色化学方法合成立方相PbSe纳米晶，即用橄榄油为配体和溶剂，以PbO为Pb源，Se为硒源，采用不同注入的方式制备PbSe纳米晶。本文为进一步研究CuGaSe₂和PbSe纳米晶的合成和性质提供了参考。