随着集成电路中High-k技术的发展，绝缘栅氧化层质量的好坏成为其关键所在。本文通过单粒子辐照和经时绝缘击穿(TDDB)的实验对深亚微米SOI器件的栅氧化层质量进行测试，探索栅氧化层的损伤机理，主要工作包括：　　 1)对0.13μm工艺SOI器件进行单粒子辐照实验设计，在单粒子辐照后测试中发现器件出现了栅漏电流增大、驱动能力下降、饱和电流退化，并会发生软击穿现象，软击穿现象会让器件的性能发生明显退化，但仍能够工作。在电应力实验检测未出现明显退化现象的器件可能存在潜在损伤，这些存在潜在损伤的器件比未辐照器件在测试中更加容易击穿。最后阐述单粒子辐照给薄栅氧化层所带来的损伤。　　 2)采用栅极电压扫描法对0.18μm和0.35μm工艺的SOI栅电容进行TDDB测试，并通过在不同应力下测试得到栅电容的的击穿时间，对其进行栅氧化层累计失效分布图统计得到中位寿命，用1/E模型预测出栅氧在正常工作状态下的使用寿命，并阐述了栅氧击穿机理。