共振隧穿二极管〔RTD〕是一种新型的基于量子共振隧穿效应的两端高速器件,已经在多态存贮、A/D转换、多值逻辑、分频、倍频等方面得到了广泛的应用。RTD器件的快速发展和良好的应用前景,使得对RTD的研究工作显得越来越迫切。本论文主要研究了具有优良性能的InP材料体系共振隧穿二极管（RTD）,通过对结构材料制备和器件制作工艺的改进,成功研制出了国内首例InP基AlAs /In_0.53Ga_0.47As RTD。首先,根据共振隧穿二极管的基本原理和InP基材料体系的相关特性,提出了AlAs /In_0.53Ga_0.47As/AlAs两垒一阱的RTD材料结构,用带隙较宽的AlAs作势垒能够有效的减小散射对电流的影响,提高峰谷电流比（PVCR）,同时In_0.53Ga_0.47As可以与InP衬底完全匹配,从而有效提高外延层的生长质量。材料结构制备使用分子束外延工艺,通过大量的生长试验优化外延条件,确定了较佳的生长温度和生长速率。然后,选择InP（001）半绝缘衬底,进行外延生长,在异质界面处采用间断生长的外延工艺,有效地提高了异质界面的界面质量。生长过程中,通过反射高能电子衍射仪（RHEED）实时观测表面生长状况,对外延条件做出细微调整。用X射线双晶衍射仪和PL谱测试仪对RTD外延片结构进行测试,测试结果与设计相吻合。RTD器件制作选用台面结构,发射极和集电极用AuGeNi做欧姆接触,内引线蒸发TiPtAu。最后,对制作的RTD进行直流参数测试,测得器件室温下的峰谷电流比（PVCR）为7.4,峰值电流密度（Jp）为1.06×10⁵A/cm²。