台面结构相关论文
本文制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器1、#2、#3和#4并分别测试了它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层......
为实现894.6 nm低阈值、高稳定性、单模激光输出,设计了具有不同台面刻蚀结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件,研究了台面直径和......
针对机车牵引用3 300 V/1 500 A IGBT功率模块,采用TCAD仿真工具研究了不同栅极结构对器件静态和动态参数的影响.当平面栅IGBT采用......
台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键。由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自......
介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶......
提出了一种新的光纤压力传感器的设计,该传感器敏感膜采用了台面结构而非传统的平面结构.用法布里-珀罗(Fabry-Perot)干涉理论阐述了传......
报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs结构共振隧穿二极管(RTD)的研制过程.衬底片选用(001)半绝缘InP单晶片,结构材料使用分子束外延......
制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器#1,#2,#3和#4,并分别测试它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层上,......
微波PIN二极管是一种极为重要的控制器件,被广泛应用于微波通信、卫星通信、相控阵雷达以及微波测量技术等各类微波控制电路中。其......
报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs两垒一阱结构共振隧穿二极管(RTD)器件的研制.结构材料由分子束外延制备,衬底片为(001)半绝缘InP单......
本文对SiGe/SiHBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速SiGe/SiHBT结构和一个低噪声SiGe/S......
本文简要介绍了CX502N型微波砷化镓场效应晶体管的设计、特性与制造。器件采用了新的“积木式”台面结构,减小了栅-漏反馈电容。测......
串音与焦平面阵列(FPA)的灵敏度和分辨率密切相关.用模拟的方法定量地计算了In_(0.53) Ga_(0.47)As/InP探测器焦平面阵列的电串音随光波......
<正> 本文介绍我厂研制的高压中功率npn平面型晶体管设计考虑,该产品用于雷达亮度显示器、电源设备、静电打印设备及某些开关电路......
<正> 国外曲轴磨床是在外圆磨床基础上发展起来而成为一种专门的磨床品种,该种磨床主要适用于汽车、拖拉机和内燃机等行业。曲轴磨......
采用湿法腐蚀方式在PIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP材料上制备了不同台面结构的正照射In0.53Ga0.47As探测器,通过比较不同结构器件的......
期刊
紫外探测技术被广泛应用于生化检测、可燃性气体尾焰探测及导弹羽烟探测等紫外辐射探测等领域。由于4H-SiC具有宽带隙的特点,用其......
由In Ga As材料制备的短波红外探测器因其具有成本低、灵敏度高、可靠性高等特点,被广泛应用于工业、医疗和军事领域。近些年,由于......
共振隧穿二极管〔RTD〕是一种新型的基于量子共振隧穿效应的两端高速器件,已经在多态存贮、A/D转换、多值逻辑、分频、倍频等方面......