基于电射流的PZT厚膜制备及其性能表征

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PZT厚膜以其驱动力强、频率范围宽、灵敏度高、兼容性强等优良性能,在航空航天、医疗诊断、电子信息等领域得到广泛应用。电射流技术作为一种微纳尺度增材制造技术,是利用液态流体在电场力、机械力等作用下形成稳定的精细射流和纳米级液滴,实现材料沉积成型,具有成型精度高、可控性强、基底及沉积材料适应性强等优点。本文构建了压电膜结构极化装置,配制了PZT复合悬浮液,进行了硅衬底PZT厚膜的电射流沉积制备及性能研究,开展了无衬底PZT厚膜的制备及性能研究。首先,设计并构建了压电膜结构极化装置。构建的极化装置满足了电压、温度、时间等关键参数的调节及控制要求,适用于微小尺度压电膜结构及压电器件的极化处理。采用高能球磨法获得了PZT复合悬浮液。研究了球磨时间对悬浮液物理性质的影响,获得了适用于电射流沉积的PZT复合悬浮液。然后,进行了硅衬底PZT厚膜的电射流沉积制备及电学性能研究。研究了PZT悬浮液配比和球磨时间对厚膜形貌的影响,利用配比为10g/10ml(表示悬浮液由10g PZT粉末和10ml PZT溶胶混合而成)的PZT悬浮液经高能球磨50h,沉积获得了致密、无裂纹的PZT厚膜。研究了PZT厚膜的退火结晶工艺,在720℃、20 min退火条件下获得了纯钙钛矿相的PZT厚膜。利用PZT溶胶对电射流沉积PZT厚膜进行了逐层渗透处理,进一步提高了厚膜的致密性,改善了其电学性能。其中,剩余极化强度Pr提高至原来的2.3倍,1kHz-100kHz频率范围内介电常数?提高至原来的2.4倍。最后,开展了无衬底PZT厚膜的制备及电学性能研究。采用湿法刻蚀工艺实现了PZT厚膜硅衬底的剥离。研究了衬底材料对电射流沉积PZT厚膜电学性能的影响,结果表明,去除硅衬底后电射流沉积PZT厚膜的剩余极化强度Pr和压电常数d33皆提高至原来的近2倍。此外,进行了PZT纤维退火工艺及极化性能研究,确定了其适合的退火工艺参数和极化工艺参数。
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