具有各方面优异性能的介电复合材料是发展高质量介电电容器的关键,如何提高介电复合材料的介电性能和储能性能等引起了研究者们的广泛关注。本文以聚偏氟乙烯（PVDF）为基体,碳化硅纳米线（Si CNWs）、核壳结构碳化硅纳米线@二氧化硅（Si CNWs@Si O2）和四针状氧化锌晶须（T-Zn Ow）为填料,通过溶液共混相转换法及热压工艺制备出一系列的Si CNWs/PVDF二元复合材料、Si CNWs@Si O2/PVDF复合材料和Si CNWs/T-Zn Ow/PVDF三元复合材料。探究介电纳米填料的表面修饰、核壳结构及多元双纳米填料对PVDF基复合材料的微观结构、宏观介电性能和储能性能等的影响。实验结果表明,硅烷偶联剂KH550和KH570分别成功改性Si CNWs和T-Zn Ow;通过一步法热氧化工艺成功制备出具有典型核壳结构的Si CNWs@Si O2纳米线,Si O2壳层的厚度随着Si CNWs热氧化时间的延长而增大,当Si CNWs热氧化时间为10 h,Si O2壳层的厚度为6.5 nm;采用相转换法和热压处理成功制备一系列的Si CNWs/PVDF二元复合材料、Si CNWs@Si O2/PVDF复合材料和Si CNWs/T-Zn Ow/PVDF三元复合材料,所有纳米填料与PVDF基体成功复合;当Si CNWs掺杂量较大时,Si CNWs/PVDF二元复合材料出现明显的团聚现象,核壳结构Si CNWs@Si O2纳米线和多元双纳米填料Si CNWs与T-Zn Ow的引入,有效地提升纳米填料在聚合物基体中的分散性。对比纯PVDF,Si CNWs的引入大幅度提高了复合材料的介电常数,但是其介电损耗和电导率较大。将核壳结构纳米填料和多元双纳米填料掺杂到PVDF基体中,使得复合材料在保持高介电常数的同时,不同程度的降低了介电损耗和电导率,同时复合材料的击穿强度也有较大的提升。纯PVDF和系列Si CNWs/PVDF二元复合材料的储能密度较低,在纳米填料掺杂量为25 wt%时,将Si CNWs热氧化时间为10 h的核壳结构Si CNWs@Si O2纳米线和Si CNWs与T-Zn Ow配比为1:1的多元双纳米填料嵌入到PVDF基体中,25wt%Si CNWs@Si O2/PVDF（10 h）复合材料和25wt%Si CNWs/T-Zn Ow/PVDF（1:1）三元复合材料在极限电场强度下获得的最大放电能量密度分别为0.111 J/cm~3和0.099 J/cm~3,获得的放电效率分别为53.06%和61.84%,有效提升了复合材料的储能性能。