【摘 要】
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量子阱激光器显示出了远远优越于一般半导体激光器的特性,使得它广泛地应用于光纤通讯,信息处理,激光打印,光盘,光传感,泵浦光源等领域.高功率980nm半导体激光器和808nm半导
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量子阱激光器显示出了远远优越于一般半导体激光器的特性,使得它广泛地应用于光纤通讯,信息处理,激光打印,光盘,光传感,泵浦光源等领域.高功率980nm半导体激光器和808nm半导体激光器分别是掺Er光纤放大器和Nd:YAG激光器的理想泵浦光源.该文建立了一个新的对量子阱激光器特性进行分析的直接耦合、显含温度变量的三维模型.利用该模型,对量子阱激光器的各种相关联特性进行了数值计算与分析,研究了这些特性之间的相互影响,并将理论计算结果与作者设计研制的实际量子阱激光器的测试结果以及文献报导的结果进行了对比和分析.结果表明,理论计算结果与实验测试结果较好的吻合.该文首次给出了对量子阱激光器各种特性进行分析的直接耦合、相互关联、显含温度、自洽的三维分析模型.首次计算和分析了考虑到温度影响的具有应变层结构的量子阱激光器的各种特性.给出了量子阱激光器部分参数的最佳值,有利于提高器件的特性和质量.所得到的计算与分析软件将为量子阱激光器的设计、制造和理论分析提供有效的帮助.试制出了高功率GRIN-SCHInGaAs/AlGaAs应变双量子阱激光器和具有线性GRIN结构GaAs/AlGaAs单量子阱激光器.
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