随着微纳结构加工技术的发展,通过激光加工使样品具有功能性的微纳结构表面逐渐成为大多数学者的研究热点。由于较高峰值功率的飞秒激光与材料相互作用的时间极短,所以,对飞秒激光诱导表面周期性条纹结构的调控以及对表面周期性条纹结构的超快动力学形成机制研究具有十分重要的实用价值和科学意义。本文首先从实验上采用能量比为1:1的双脉冲列对6H-SiC晶体进行线扫,研究了双脉冲延时和偏振方向对LIPSS（激光诱导周期表面结构）的调控规律。烧蚀区的SEM表征和频谱分析表明:LSFL（低空间频率的条纹）的周期随着双脉冲延时的增加先急剧减小后缓慢减小直至稳定。同时,在同一脉冲延时下,LSFL周期随偏振角度的增加而增大,呈现一种依赖于偏振角度的各向异性。通过电子速率方程计算了激光激发的电子密度水平,然后基于时域有限差分方法（FDTD）模拟入射光与不同电子密度水平的瞬态SiC表面的相互作用。模拟结果表明:6H-SiC样品表面出现周期性光场增强结构,这种周期性光场增强结构可受瞬态电子密度调控,解释了随着双脉冲延时的增加LSFL周期减小的现象。LSFL的周期偏振依赖可能与激光脉冲前沿倾斜（PFT）和偏振的相对取向改变有关。然后从理论上采用电子密度速率方程、Drude模型和双温模型（TTM）仿真不同双脉冲延时的双脉冲超短激光对6H-SiC晶体的烧蚀。研究了烧蚀过程中的光学参数和热学参数随电子动态调控的变化及其对LIPSS的烧蚀深度和宽度的影响机制。（1）当双脉冲延时比较短时,材料的光学性质是由半导体转变成类金属状态,然后恢复成半导体状态,并且金属态的持续时间取决于双脉冲延时时间;当双脉冲延时比较长时,由于激发出自由电子使材料的光学性质经过了从半导体态、金属态、半导体态、金属态直至半导体态的变化过程。（2）LIPSS的烧蚀深度和烧蚀宽度都是随着双脉冲延时时间的增加先急剧减小后缓慢增加。当双脉冲延时比较短时,6H-SiC样品的总的吸收系数α决定了烧蚀深度随着双脉冲延时的增加而减小。激光热密度Q决定了烧蚀宽度随着双脉冲延时的增加而减小。当双脉冲延时比较长时,烧蚀深度和烧蚀宽度随着双脉冲延时的增加而增加,主要受晶格热扩散KL的影响。本文的实验和仿真结果表明:通过双脉冲延时和偏振的调节,可实现6H-SiC样品表面电子密度的动态调控,进而实现对LIPSS的周期、深度以及宽度的调控。