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本文研究了薄膜晶体管(Thin-film Transistor，TFT)在应力条件下的电学特性漂移，并提出了一个描述栅极应力下的阈值电压（Vth）漂移模型。本文的主要工作和贡献有: (1)利用Agilent B1500系统测试了氢化非晶硅(hydrogenated amorphoussilicon，a-Si(∶H)) TFT在栅极偏压(Vg)应力下、漏极偏压(Vd)应力下和温度应力下的转移特性曲线的变化，并描述了Vth，亚阈摆幅（subthreshold swing，SS）和电子迁移率(μ)在应力作用下随时间的变化规律。 (2)分析了栅应力下已有Vth漂移模型的缺点，并基于Vth漂移的主要机理（电子首先注入到栅介质层和有源层的界面上，随后被介质层深处的陷阱俘获）提出了一个新的模型。与Vth漂移数据拟合的结果证明该模型能用同一组参数很好的吻合不同栅应力下的Vth的漂移。 (3)讨论了栅介质层电荷，初始载流子浓度(ni)和模型中典型参数-陷阱费米能级与有源层的半导体费米能级之差ξ和栅介质层厚度tox对TFT稳定性的影响。通过比较在相同过驱动电压下，栅介质层中固定电荷分别为正电荷和负电荷的两种器件的漂移情况，得到了栅介质层电荷对TFT稳定性的影响-介质层中存在正电荷会造成器件可靠性变差。通过分析ni对器件稳定性的影响，得到ni较大的器件在相同过驱动电压下更加稳定。另外，通过对模型中典型参数ξ和tox的讨论发现，在其他条件相同的情况下，增大栅介质陷阱费米能级与半导体费米能级之差，增加栅介质层厚度的提高都有助于提高TFT电应力下的可靠性，抑制Vth的漂移。 (4)根据模型计算了不同情况下的传统2管OLED像素电路的寿命。根据计算结果可以推测采用高初始载流子浓度导致的低初始阈值电压的驱动管能有效的提高像素电路的寿命。