【摘 要】
:
本文对准一维硅纳米线微区场致电子发射特性和氧化钨系列纳米结构的功函数及相关的能带结构进行了表征。主要工作包括以下两部分。 第一,采用扫描隧道谱测量了单根Si纳米线
论文部分内容阅读
本文对准一维硅纳米线微区场致电子发射特性和氧化钨系列纳米结构的功函数及相关的能带结构进行了表征。主要工作包括以下两部分。
第一,采用扫描隧道谱测量了单根Si纳米线的能带结构,我们确定Si纳米线的能带宽度为1.01~1.12 eV,与硅体材料一致。研究了Si纳米线顶端局域的场致电子发射特性,发现不同测试点的发射电流一电场特性存在差异。通过电场模拟和理论计算,我们确认影响局域场致电子发射的原因一方面是由于局域纳米结构的存在引起的局域电场的几何增强,另一方面,则来自于场致电子发射测试时外加电场对样品表面能带结构的作用从而引起的势垒降低。这两方面的作用决定了Si纳米线局域场致电子发射的特性。
第二,首次从实验上测得了W<,18>O<,49>和WO<,3>纳米结构的功函数,并首次表征出了WO<,3>纳米结构的能带结构。采用开尔文探针技术测试得到的W<,18>O<,49>和WO<,3>纳米结构的功函数值分别为5.25 eV和5.57 eV,紫外光电子能谱给出一致结果。首次对WO<,3>纳米结构的能带结构进行了表征,结果表明WO<,3>纳米结构为n型半导体,其能带宽度为2.92±0.09 eV。
本研究从实验上获得了Si纳米线和W<,18>O<,49>、WO<,3>纳米结构与场致电子发射相关的重要特性参数,对进一步研究这些新型纳米结构冷阴极的发射机理有重要意义。
其他文献
请下载后查看,本文暂不支持在线获取查看简介。
Please download to view, this article does not support online access to view profile.
历史上,有许多重大事件令人刻骨铭心,值得我们全民族和子孙后代永远铭记。当那些重大事件发生多少年后,主流媒体通常会从民族利益和受众愿望出发,让受众穿越时光隧道,重新回
为了深入地了解硅纳米线的物理性能,我们研究了硅纳米线的结构、稳定性及电、热学性质,得到了一些有意义的结果。本论文首先对于硅纳米线的研究现状,包括结构、制备表征、物理性
在信息时代,物质、能量、信息是人类赖以生存的三大资源。量子信息科学是物理科学与信息科学交叉融合产生的新兴学科领域,其研究涉及到物理、通信、计算机、数学等多个学科。量
请下载后查看,本文暂不支持在线获取查看简介。
Please download to view, this article does not support online access to view profile.
班级管理是教师根据一定的目的要求,采用一定的手段措施,带领班级学生,对班级中的各种资源进行计划,组织、协调、控制、以实现教育目标的组织活动过程.班级管理要千方百计地
氧化锌(ZnO)是新一代的Ⅱ-Ⅵ族宽带半导体材料,具有纤锌矿晶体结构,禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60 meV,可以实现室温下的受激发射。ZnO薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、压敏性,并且易于与多种半导体材料实现集成化。因此,ZnO材料具有广泛的应用,可以制成表面声波谐振器,压电器件,透明导电膜以及GaN蓝光薄膜的过渡层等。在ZnO光电特性研究中,人们关注薄膜的实用化,目前ZnO
等离子体色散关系是研究等离子体不稳定性、等离子体诊断、等离子体中电磁波的传播与耗散以及惯性约束核聚变中非线性现象的理论基础。为了使这个基础更完整更有效,本论文致力
近些年来移动通信和因特网技术得到迅猛发展,单一的语音和数据通信已不能满足人们的需求,而对于数字视频及图像传输业务的需求随之大幅度增加。另一方面,相比较其它类型的信息传