反应磁控溅射ZnO薄膜多量子阱及合金特性研究

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【摘要】

：

氧化锌(ZnO)是新一代的Ⅱ-Ⅵ族宽带半导体材料，具有纤锌矿晶体结构，禁带宽度为3．37eV，激子束缚能为60 meV，可以实现室温下的受激发射。ZnO薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、压敏性，并且易于与多种半导体材料实现集成化。因此，ZnO材料具有广泛的应用，可以制成表面声波谐振器，压电器件，透明导电膜以及GaN蓝光薄膜的过渡层等。在ZnO光电特性研究中，人们关注薄膜的实用化，目前ZnO

【作者】

：

辛萍

【机构】

：

大连理工大学

【发表日期】

：

2007年11期

【关键词】

：

磁控溅射 ZnO薄膜 ZnO/MgO多量子阱三元合金结构特性光致荧光

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