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氧化锌(ZnO)是新一代的Ⅱ-Ⅵ族宽带半导体材料,具有纤锌矿晶体结构,禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60 meV,可以实现室温下的受激发射。ZnO薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、压敏性,并且易于与多种半导体材料实现集成化。因此,ZnO材料具有广泛的应用,可以制成表面声波谐振器,压电器件,透明导电膜以及GaN蓝光薄膜的过渡层等。在ZnO光电特性研究中,人们关注薄膜的实用化,目前ZnO研究领域的关注焦点是ZnO结型器件的制备。而要实现制备器件的目标,需要对ZnO实现可靠的p型掺杂,还要有