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Bi2Te3因其在室温下具有良好的热电效应而广受关注,当被推断具有三维强拓扑绝缘体结构时更是引起了科学家们的研究热潮。这种材料的表面态是非简并自旋的金属态,这种独特的性质使其可能成为室温低能耗的自旋电子器件。其次纳米尺度的拓扑绝缘体具有好的表面与界面效应,便于研究表面电子态。目前,在拓扑绝缘体领域已经出现了大量理论工作,但是在实验这一领域进展却相对缓慢。其中主要原因之一是难以获得高质量的拓扑绝缘体样品,因此,高纯度的Bi2Te3一维纳米结构的可控制备是目前纳米科技领域的一个重要研究方向。本文主要围绕