近年来,无线通信技术发展的越来越迅速,人们对通信过程中接收到的信号质量的要求也越来越高,射频收发机作为通信系统中的重要组成部分,其性能的好坏决定了整个系统的性能优劣。为了实现1W以上的发射功率以克服无线信号在自由空间的链路损耗,射频收发机中的功率放大器单元通常采用AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管来设计。然而,无线通信基站往往处于室外,温度等环境条件对射频功率放大器的影响不容忽视。此外,作为半导体器件的AlGaN/GaN HEMT在工作过程中会散发极高的热量,使得在射频功率放大器模块内的所有器件都工作在高温环境中,这会严重影响射频功率放大器的增益和功率特性,甚至可能引起电路失效。因此温度成为影响功率放大器性能稳定性的重要因素,这使得研究功率放大器的温度特性和失效机理具有重要的理论价值和实践意义。本文首先设计了一款基于AlGaN/GaN HEMT的高效并联型E类功率放大器,并在ADS软件中进行了原理图仿真和联合仿真,接着在室温下进行了小信号S参数和大信号下输出特性的测试,实测结果与设计仿真结果有较好的一致性,这为之后研究高效E类功率放大器在高温和低温下的特性提供了保障。最后,为了探索功率放大器性能在高温和低温下的变化规律,本文测试了高效并联型E类功率放大器在不同温度下的直流特性、小信号S参数和最大输出功率等关键参数。测试结果表明,温度是影响射频功率放大器性能稳定性的重要因素之一,因此,研究射频功率放大器的温度特性和其失效机理是一项具有实际意义的工作。同时也为研究高稳定性的高效E类功率放大器的设计提供了有价值的参考依据。