【摘 要】
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该论文主要采用一种新的Sol-Gel方法制备了PLT纳米晶薄膜,并利用XRD、TGA、DTA、IR、UV-VIS、XPS、STM、AFM等手段,研究了PLT纳米晶薄膜的制备条件、晶相结构、表面态结构及
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该论文主要采用一种新的Sol-Gel方法制备了PLT纳米晶薄膜,并利用XRD、TGA、DTA、IR、UV-VIS、XPS、STM、AFM等手段,研究了PLT纳米晶薄膜的制备条件、晶相结构、表面态结构及缺陷构等.采用溶胶-凝胶方法,分别在单晶硅和ITO导电玻璃衬底上成功的合成PLT(Pb<,1-x>La<,x>TiO<,3>)钙钛矿结构纳米晶薄膜.同时在PLT薄膜上以合成出SCR(Sr<,1-x>Ca<,x>RuO<,3>)薄膜.XRD衍射测试方法跟踪反应过程,同时比较ITO与单晶硅衬底上PLT的合成,发现衬底的种类也是影响固相反应机理的因素之一.UV-VIS测试结果表明PLT纳米晶薄膜中存在较多的使亚带隙吸收复杂化的缺陷中心.吸收范围伸展到可见光区域.XPS的结果表明随晶化温度的升高,PbO的损失增大,吸附氧的含量增加,PLT纳米晶薄膜中的Pb以+2价的形式存在.AFM显微结构分析表明PLT薄膜表面晶粒粒径在15-25nm范围内,与XRD测试结果基本一致,ITO/PLT/SCR三层薄膜层次分明,并且紧密结合,没有发生扩散现象,初步考察了PLT做为光电极在光电化学式太阳能电池中的特性.
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