伴随着集成度的不断增加，半导体器件特征尺寸正在逐年变小，使得半导体器件更容易遭到高功率微波(high-power microwave, HPM)的干扰和毁伤。常用的针对HPM损伤机理及评估HPM参数对电子系统损伤或干扰的研究方法：一是通过实验研究；二是采用理论分析研究的方式，然而只依靠实验开展器件与电路的HPM效应研究非常困难，难以得到具有普适性的结论，且实验分析研究的成本较高，因此从理论上研究高功率微波对半导体器件及电子系统的破坏机理变得十分有必要。本论文以典型P+-N--N+二极管为研究对象，利用器件仿真软件ISE-TCAD，构建在高功率微波作用下的二维模型，利用数值方法通过注入阶跃脉冲信号和频率为1GHz的正弦波信号研究了HPM损伤效应与机理。对二维仿真结果进行对比，得出空间电荷效应引起负阻效应是电流丝产生的重要原因及温度梯度促使电流移动，电流丝在P+-N--N+模型边缘时升温最快但电流丝的移动过程延长了PIN的烧毁。在正弦波信号作用下，器件在电压的正半周期升温速度更快更容易烧毁。本文最后结合拟合曲线软件对HPM注入下PIN管烧毁所需能量、损伤功率和脉冲脉宽的关系。在微波脉冲宽度一定的情况下，PIN二极管达到一定最高温度所需功率是由烧毁所需入射能量和实际吸收功率共同决定的。本文的研究工作为PIN二极管的加固防护技术提供了一定的理论基础，也为进一步的实验研究提供了基础。