电流丝相关论文
绝缘栅双极晶体管(IGBT)和集成门极换流晶闸管(IGCT)是目前性能优良且应用广泛的两种功率器件。随着器件电压等级的提升和电流容量......
研究了高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射能量。从砷化镓光导开关中电流丝的非平衡载流子复合出发,导出了电流丝的自发辐射......
应用统计物理方法研究了高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射效应.导出了高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射规律,在砷化......
动态雪崩是限制功率器件安全工作区(SOA)的关键因素。功率器件在过应力条件下关断时,由于内部自由载流子对电场的调制,动态雪崩发......
应用统计物理方法研究了砷化镓光导开关中电流丝（即流注）的辐射复合系数。通过分析砷化镓光导开关中电流丝一端的自发辐射光谱，依据简......
分析了高增益砷化镓光导开关中流注（即电流丝）一端不同辐射波长的自发辐射实验现象，导出了不同辐射波长的辐射复合系数之间的关系，拓展......
动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管（FRD）坚固性的一个主要因素.文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终端结......
利用SilvacoTCAD仿真软件对p＋n—n＋结构二极管在反向击穿情况下的电场分布进行了仿真分析，雪崩载流子浓度的升高改变了耗尽区的电荷密......
研究高增益砷化镓光导开关中875 nm自发辐射产生的载流子密度分布特征。导出电流丝一端875 nm辐射的光致电离效应规律,计算电流丝......
基于时域有限差分法（FDTD）对非线性模式面结构砷化镓光导开关的热传导过程进行了数值模拟。研究了光导开关临界频率与电流丝位置、半......
本文综述了高压IGBT的动态雪崩问题,涉及IGBT动态雪崩的概念、复杂性、失效机理和应对措施等。对这些问题的了解和掌握,对于设计制......
自20世纪80年代起,现代功率半导体技术飞速发展至今,以IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)为代表的现代......
动态雪崩是影响电力半导体器件可靠性的一个重要因素。随着近年来集成门极换流晶闸管(IGCT)的应用范围不断拓展,失效问题也越来越......
门极换流晶闸管(GCT)关断过程中的动态雪崩效应是导致其失效的关键因素。本文采用Sentaurus仿真软件对4 500V非对称GCT关断过程中......
动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管(FRD)坚固性的一个主要因素。文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终......
伴随着集成度的不断增加，半导体器件特征尺寸正在逐年变小，使得半导体器件更容易遭到高功率微波(high-power microwave, HPM)的干扰......
功率快恢复二极管(Fast Recovery Diode,FRD)常与全控型开关器件反并联构成完整的开关模块,在电路开关过程中起提供回路能量泄放的......
天体物理观测结果表明磁化高能量密度等离子体能以较高的能量转换效率辐射低频非热电磁脉冲。本文研究磁化高能量密度条件下磁重联......
