本文制备了几种适合近紫外光LED芯片激发的荧光粉。试验了最佳合成条件以及杂质的最佳浓度,测试了样品的激发光谱和发射光谱,研究了样品的发光性质及其形貌。主要内容如下：(1)利用高温固相法合成了红色荧光粉Sr2SiO4:Sm3+。样品具有3组发射峰,主峰值分别位于570nm,606nm和653nm,其中最强峰位于606nm。激发光谱为从350到420nm的宽带,可以被近紫外光和紫光有效激发。当Sm3+浓度为6%,电荷补偿剂为Cl-时,样品的发光强度最大。(2)利用燃烧法制备了红色荧光粉SrIn2O4:Eu3+。样品的最强发射峰位于613nm,对应于Eu3+的5D0→7F2跃迁。随着激活剂Eu3+浓度的增加,样品的发光强度逐渐增大。样品的主激发峰位于397和469nm,分别与紫外光和蓝光LED的辐射相符合。它由许多微小的晶粒组成,晶粒的平均直径小于500nm。(3)利用凝胶燃烧法合成了绿色荧光粉Ca2Si04:Eu2+。样品呈现出峰值位于501nm的宽带发光,它可以被350-400nm的UVLED芯片有效激发,并且制备温度较低(1000℃),颗粒平均尺寸较小(小于1μm)。Eu2+的最佳浓度为3%。(4)利用高温固相法合成了蓝色荧光粉Sr5Si04Cl6:Eu2+。样品的激发峰值位于360nm,适合UVLED芯片的激发。样品在360nm的紫外光激发下呈宽带发射,峰值位于454nm,属于Eu2+的4f(?)5d→4f(?)能级跃迁。样品的最佳制备温度为750℃,Eu2+的最佳浓度为2%。