【摘 要】
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该论文为探索性实验研究,主要是用多种实验方法和实验手段对多种系统的具有不同物理机制的磁电阻进行研究,涉及的磁电阻主要有:金属多层膜中的巨磁电阻,合金型低饱和场的磁电
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该论文为探索性实验研究,主要是用多种实验方法和实验手段对多种系统的具有不同物理机制的磁电阻进行研究,涉及的磁电阻主要有:金属多层膜中的巨磁电阻,合金型低饱和场的磁电阻以及各向异性磁电阻等.对CuMn合金为非磁层的磁电阻研究得到的主要结果是:在Co/spacer/Co结构中,以Cu<,92>Mn<,8>合金替代Cu层后,巨磁电阻行为会发生很大变化,饱和场/开关场同时也会降低约1个多数量级,系统的灵敏度有较大的改善.对界面掺杂体系的磁电阻研究得到的主要结果是:通过在Co/Cu/Co结构中的下层Cu/Co界面施加一个0.3nm的SiO<,2>-Ni平面掺杂,会导致一个较大的磁特性变化,磁电阻略有减小,为3.2﹪,但开关场有很大的变化,仅为2003和600e,较掺杂前降低约两个数量级,同时发现随着掺杂厚度的改变,两种不同界面的掺杂体系的磁电阻有较大差异的衰减长度.对AlN隧道结及Co/SiO<,2>Ni/Co的研究得到的主要结果是:在室温下得到了几个约3-4﹪的磁电阻变化率,为后续研究打下了良好的基础.对Co/SiO<,2>Ni/Co系统的CPP-MR进行了研究,在室温下得到一个约3.4﹪的正的CPP-MR和较大的π值(π-CPP-MR/CIP-MR).
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