石榴石磁泡薄膜中第一类哑铃畴的温度特性

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本文实验研究了石榴石磁泡薄膜中第一类哑铃畴的温度特性,具体测量了ⅠD在条泡转变标准场H_(sb)’和硬泡标准场H_O’处畴长随温度的变化关系,发现ⅠD在条泡转变标准场H_(sb)’和硬泡标准场H_O’处其畴长随温度的升高而增大,通过与不含VBL的软磁泡泡径随温度的变化的实验比较,我们认为:畴壁中含有大量VBL的ⅠD之所以会出现上述现象,完全是由于畴壁中的VBL引起的。并通过J.C.Slonczewski所给出的VBL的平衡间距公式分析得出ⅠD畴壁中VBL间的平衡间距(S_(eq))随温度的升高而增大
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