先进的功率栅驱动技术能够通过调节功率器件的栅极信号实现对功率器件的有效控制,成为提高智能功率集成电路(Smart Power Integrated Circuit,SPIC)工作效率及可靠性的重要手段。随着SPIC应用领域的拓展,系统温度变化范围达-40℃～125℃,在宽温度范围下实现对功率器件低开关过冲、低开关损耗及高稳定性的控制,对SPIC中的功率器件栅驱动技术提出了新的挑战。本文在深入分析传统栅驱动技术的基础上,提出了一种具有温度自适应调节能力的栅驱动电路,采用正温度系数电流源驱动绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT),抑制了集电极电流变化速率随温度变化产生的波动,改善了 IGBT开关过冲的温度稳定性;通过对驱动电流的分段自适应控制,实现了集电极电流变化速率dic/dt和集电极-发射极电压变化速率dvCE/dt的独立控制,从而优化了开关损耗和开关过冲之间的折中关系。此外,本文还设计了阈值电压参考电平产生电路、集电极电压斜坡检测电路和用于控制输出调节电路工作状态切换的逻辑控制电路等,实现了宽温度范围内功率器件开关状态的准确检测。最后,基于0.5μm 600V BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺进行了电路版图设计,并进行了仿真分析和流片验证。测试结果表明:在37.5VJ的开通损耗下,本文提出的栅驱动技术电流过冲仅为0.39A,相比于目前SPIC中的主流栅驱动技术,电流过冲降低了 58.9%;在-40℃～125℃温度范围内,相比于SPIC中主流栅驱动技术30.6%的电流过冲变化率,本文提出的栅驱动技术电流过冲变化率仅6.6%。