由于生物荧光标记、高分辨全色显示、固态白光LED以及太阳能电池等行业的需要,研究高质量的纳米半导体发光材料成为当前的研究热点。本文采用了水热法和有机化学液相法分别制备了SiC、Si和CdS纳米半导体发光材料,并分别采用TEM、SEM、AFM表征了其形貌特征,用EDS、XRD、 Raman表征了其化学结构及组成,用UV-vis和PL表征了其光学特性。采用水热法制备了发光波长位于紫外区域的Ⅳ族SiC纳米半导体材料。实验发现,在470℃、15MPa、保温时间为48h,可得到尺寸小于8nm、尺寸分布单一、发光性能优异的SiC纳米晶。在急剧失压和降温的条件下,可以得到直径几十nm～200nm的SiC纳米线,且纳米线之间相互勾连形成空间网络结构,这可能成了一种新型超硬材料。PL发光光谱测试表明,尺寸小于10nm的近球状SiC纳米晶发光峰窄而强,经过三个月的光学钝化测试,发光强度几乎不变,具有极强的光学稳定性。根据水热结晶学和晶体成核及长大理论探讨了水热法制备SiC量子点的形成机理。还采用有机化学液相法制备了发光波长可调的Ⅱ-Ⅵ族CdS半导体纳米晶,实验中采用成核与生长阶段分离的方法研究了影响纳米晶粒径及发光波长的因素。实验发现生长时间越长,纳米晶尺寸越大,发光波长也随着时间的延长而红移,当生长时间增加到一定程度后,发光峰的半高宽逐渐增加,说明尺寸分布变宽。还采用了水热法制备了Si纳米线,实验中采用环保且廉价的方式大量制备了硅纳米线。实验发现,Si纳米线的Raman光谱相对于Si体材料而言发生了一定的移动,这可能是由于Si纳米线的晶格膨胀导致的应力。另外,还测量了这种方法制备的Si纳米线的PL性能,结果发现,其发光强度较弱。