基于第一性原理优化的石墨烯生长KMC模型研究

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石墨烯是一种由单层碳原子呈六方晶格排列而形成的碳质二维材料,其拥有众多独特的理化性质,在半导体器件,光电器件,电容器以及能源储备等方面拥有巨大的应用前景。化学气相淀积法(CVD)法生长石墨烯涉及到许多工艺参数,如何通过优化CVD生长石墨烯的工艺参数,实现大尺寸高质量石墨烯的大规模制备是一个急需解决的问题。随着计算机计算能力的提升,人们可以通过计算机建模来模拟复杂工艺参数下薄膜的生长,最终得到薄膜生长的最优工艺参数,进而指导工业生产。动力学蒙特卡洛法(KMC)是一种同时结合蒙特卡洛(MC)以及分子动力
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