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随着模拟集成电路的快速发展以及半导体制造技术的迅猛发展,使得芯片的集成度大幅提升以及芯片成本的降低,与此同时也给IC设计者带来一系列的困难。随着半导体制造技术特征尺寸的减小,芯片的输入电压逐步减小以及芯片能够承受的噪声容限也越来越小。为此,本文提出两种具有高电源抑制比PSRR(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)特性的低压差稳压器LDR(Low Dropout Voltage Regulator,LDR)。第一种是采用片外电容型高电源抑制比的低压差稳压器。其特征是在低