本文用afors-het模拟软件通过计算机模拟，优化了非晶硅电池的参数，从而对非晶硅太阳能电池的生产提供最优化的结构参数。AFORS-HET软件是德国Hahn-Meitner研究所针对太阳能电池专门研发的模拟软件，可以模拟各种结构因素对太阳电池性能的影响。　　 对于nip型结构的非晶硅薄膜太阳能电池，我们运用afors-het模拟软件，就电池的各层厚度、光学带隙、电子亲和势、温度对该非晶硅太阳能电池性能的影响进行了模拟。结果表明，对于nip型非晶硅薄膜太阳能电池，p型层应该做的尽量的厚一点，在其厚度达到1×104nm时，其效率达到9.728％;对于p型层，其功函数最好选取在4.5ev以内，施主杂质的掺杂浓度不能超过1×1016cm－3：对于本征层，插入1nm本征层后，电池效率显著增加，本征层厚度最好在1nm左右；本征层带隙最好选择在1.2ev～1.7ev之间。对于发射极，其厚度最好在5nm以内，其功函数最好在3.8ev～4.2ev之间选取。　　 对于nip型结构的非晶硅太阳能电池，模拟结果表明，在其他参数不变情况下，其最佳厚度在0.22cm左右，其最高效率为19.81％，对于p型层的功函数最好选取在4.4ev以内，对于p型层施主杂质的掺杂浓度不能超过7×1016cm－3；对于本征层，插入1nm本征层后电池效率显着增加，随着本征层厚度再增加，太阳能电池转化效率反而又降低，其厚度最好在5nm以内；本征层带隙最好选择在1.3ev～1.7ev之间，最好选用1.4ev的非晶硅材料，效率最高可以达到20.18％。对于发射极，其厚度最好在5nm，其功函数最好在1.0ev～4.2ev。　　 在国内，我们第一个运用afors-het数值模拟软件对非晶硅薄膜太阳能电池进行了模拟，对各参数对太阳能电池的光伏特性的影响进行了研究，得出一系列数据，并对数据进行了处理，找到了太阳能电池的一些参数对其光伏性能的影响的一些规律，并进行了理论的分析，为以后太阳能电池的理论研究和实际生产提供了一些有益的参考。