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NAND闪存的市场竞争是非常激烈的,随着NAND FLASH存储器容量的成倍增长,单位比特的成本也显著降低。而NAND FLASH存储器容量的剧增,使得存储器测试的难度加大,测试成本越来越高,所以利用有效的测试方法降低NAND闪存测试时间,降低NAND闪存测试成本,以最快速度生产符合设计规范的产品,成为NAND供应商在市场中处于有利位置的制胜法宝。此外,如何提供更加可靠的芯片,提高芯片的测试可靠性直接决定了NAND FLASH供应商市场占有率,因此对产品故障的测试覆盖率提出了更高的要求。本文针对NAND FLASH芯片量产测试,开发了一套CP(Chip Probing)量产测试程序,并围绕测试覆盖率的提高和测试时间的减少问题,提出了具体研究方案,具体研究内容如下:在开发CP量产测试程序方面,根据测试机、测试探针卡的设计编写了测试程序文件,并通过测试控制表来定义测试流程,测试控制表会调用具体测试项的测试程序文件和测试图形文件,通过编译会得到完整测试程序包,执行测试程序自动得到晶圆测试结果图,完成对芯片的筛选。在提高测试覆盖率方面,首先从后端测试中的低良率问题入手研究失效的主要原因,发现失效是由于前端测试不能有效筛选出字线衬底失效导致的,因此提出对应力测试图形进行改进,并设计字线衬底应力实验,通过4组不同的字线衬底应力条件,最终新型应力测试有效地将字线衬底的失效率从2.2%降到0.73%,提高了故障覆盖率。在减少测试时间方面,首先提出解决校准(Trimming)值写入的数据冲突问题,并优化测试程序来减少测试时间,通过改进校准算法、校准值写入方法等方式有效地减少了测试时间,最终将校准测试流程的测试时间共缩短169.733s,有效地缩短了87.4%的校准测试时间,并减少了30%的总测试时间,有效地降低了测试成本。本文研究的这些方法已经应用于实际的生产测试中,提出的提高产品测试覆盖率和减少测试时间的方法,可以继续为下一代产品的测试覆盖率和测试时间优化工作提供指导。