利用光学相控阵实现电扫描技术在军用雷达方面具有重要的应用前景，其基本构成单元是电光移相器。采用具有电光效应、响应速度快、热稳定性高、耐强激光的高性能铁电薄膜锆钛酸铅镧（PLZT）和钛酸锶钡（BST）制作电光移相器是实现电扫描技术的重要途径。本文选择ITO透明导电薄膜作为铁电薄膜PLZT和BST的电极，用溅射法在石英玻璃上制备了ITO薄膜，用化学湿法刻蚀对ITO薄膜微图形化，并初步探索了PLZT薄膜和BST薄膜的电光性能。ITO电极图形化方法：刻蚀液为（?）（HCl：HNO₃：H₂O）=50：3：50的混合溶液，刻蚀温度为35℃，刻蚀速率约为30nm／min。对溅射法加高温退火处理制备的铁电薄膜PLZT和BST的选择性优于17：1。研究了高光学和电光性能的PLZT（8／65／35）薄膜的制备工艺。沉积在ITO／quartz上的PLZT薄膜，经700℃、Pb氛围、20min退火处理后，在可见光范围内，平均透过率为81．3％，对应的吸收边带位于350nm处；折射率n=2．21（λ=632．8nm）；消光系数k<0．040；吸收系数α=0．031×10⁵cm^-1，对应的禁带宽度Eg=3．41eV。PLZT薄膜具有高阶电光效应，线性电光系数r=3．5×10^-9m／V，二次电光系数R=2．9×10^-16m²／V²，三次电光系数为8．9×10^-24m³／V³，四次电光系数为1．4×10^-31m⁴／V⁴。沉积在ITO／quartz上的BST（60／40）薄膜，经700℃、20min退火处理后，在可见光范围内，平均透过率为83．0％，对应的吸收边带位于320nm处；折射率n=2．44（λ=632．8nm）；消光系数k<0．013；吸收系数α=0．038×10⁵cm^-1，对应的禁带宽度Eg=3．68eV；BST薄膜表现出高阶电光效应，线性电光系数r=2．5×10^-9m／V，二次电光系数R=2．3×10^-16m²／V²，三次电光系数为9．4×10^-24m³／V³，四次电光系数为1．3×10^-31m⁴／V⁴。通过对PLZT和BST薄膜电光性能的研究，得出采用溅射法加高温热处理在ITO／quartz上制备的PLZT和BST薄膜都具有优良的光学和电光性能，且PLZT薄膜表现出更强的电光记忆效应，适合制作高质量的电光器件。