SiGe合金作为新兴的半导体材料，在太阳能光伏电池、热电材料领域及半导体光电器件领域具有重要的作用。目前生长SiGe合金体材料的方法主要有区熔法和直拉法，但研究发现经拉晶生长后的SiGe合金在杂质及均匀性方面都存在很大缺陷，从而产生大量的尾料废料，成本耗费过大。为了提高SiGe合金的纯度及均匀性，回收SiGe合金尾料。本文拟对冶金法制备的SiGe合金的纯度和均匀性进行研究，并借助电感耦合等离子体发射光谱(ICP-AES)、扫描电镜(SEM-EDS)等检测设备对所制备的SiGe合金的形貌、元素含量及结晶性质进行研究。研究内容和所得结果如下所示:　　(1)以某工厂生产废弃的SiGe合金为原料，通过考察浸出剂种类及浓度、粉体粒度、浸出时间、浸出温度等条件探讨除杂效果，并在综合考虑实验安全性因素的条件下，得到:在浸出剂为2mol/lHCl、粒度为100-400μm、浸出时间为8h、浸出温度为40℃时可将金属杂质Fe、Al、Ca的含量从536ppmw、117ppmw、120ppmw降至4.14ppmw、18.30ppmw、78.99ppmw，其相应的除杂率分别为99.23％、84.36％及34.18％。　　(2)通过真空定向凝固制备SiGe合金，在凝固速率为20μm/s、25μm/s的条件下对杂质的去除效果及晶体形貌进行分析，得到:真空定向凝固可去除SiGe合金中的金属杂质，但由于SiGe合金中的杂质含量相对较低，易在实验中引入杂质而使去除效果重复性不高。同时观察到实验过程中Ge挥发的现象，并分析了其挥发原因，得到了真空条件下Ge挥发的原理，即Ge的挥发主要受控于饱和蒸气压，当Ge存在于Si基质中时，计算得到Ge在1723K时的蒸气压为7.96×104pa，远大于Si的0.086Pa，故而真空状态下Ge极易挥发而发生损失。　　(3)利用电磁感应熔炼技术探讨SiGe合金的均匀性，通过归纳演绎的实验方法，在逐步优化实验参数的条件下，得到:在线圈中部位置0.5cm处，静止熔炼2h时，能使SiGe合金中Ge纵向上的含量分布由35％的偏差降低到5％以下，即在1.5cm范围内均匀性由65％提高到了95％。经过对实验原理进行分析后得到:样品在磁悬浮力、Stokes迁移阻力及重力达到受力平衡时可抑制Ge的重力偏析而得到Ge均匀分布的SiGe合金。