【摘 要】
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碳化硅,作为所谓第三代半导体材料的一种,具有优越的电学、热学性质;宽带隙、高饱漂移速度、高截至电压、高热导率等等,因而在高温、高频、高压和大电流场合下有非常好的应用
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碳化硅,作为所谓第三代半导体材料的一种,具有优越的电学、热学性质;宽带隙、高饱漂移速度、高截至电压、高热导率等等,因而在高温、高频、高压和大电流场合下有非常好的应用前景.该文在碳化硅器件的研制,碳化硅一氧化物（SiO<,2>）界面性质的研究,以及器件模型的建立和实现等三方面进行较广泛而实际的研究.主要工作如下：1.研制了碳化硅肖特基势垒二极管.2.把分形理论引入到碳化硅器件的研究,探索了碳化硅场效应器件中SiC/SiO<,2>界面粗糙散射对沟道电子迁移率的影响.3.提出了实用的碳化硅肖特基势垒二极管模型,并详细介绍了在PSPICE下的两种实现方法：宏单元建模方法和C代码建模方法.
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