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该文首先研究了Si基BiTiO(BTO)铁电薄膜的Sol-Gel制备工艺,着重通过实验探索BTO/p-Si异质结制备的工艺参数选取和工艺流程控制;并......
在理论分析的基础上,结合铁电材料特性及实验数据,提出了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管转换(ID-VG)特性的双曲模型并进行了......
论述了铁电场效应晶体管的基本工作原理，给出了其设计方案。采用ＳＬＯ－ＧＥＬ法制备了基本的ＭＦＳ－ＦＥＴ和ＭＦＯＳ－ＦＥＴ，对其电性能进行了测试分析。测试结果表明：ＭＦＯＳ结构的ＦＦＥＴ具......
铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器,以其高密度、高速度、非易失性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导......
目的研究金属／铁电／金属／多晶硅／绝缘层／Si衬底（MFMIS）结构的p沟道铁电场效应晶体管的性能．方法制备金属／铁电／金属／多晶硅／绝缘层／Si衬底（MFMIS）......
利用sol-gel方法在p-Si(111)基底上制备钛酸铋薄膜.测量不同退火温度下得到的In/BTO/p-Si结构的C-V曲线,测量结果表明制备的MFS结......
铁电工汪膜与半导体集成技术全面是发展起来的铁电存储器，以其高密度，高速度，非挥发性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储......
