半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶属直接带隙半导体材料，具有半绝缘特性、很高的电子迁移率和较宽的禁带，使GaAs器件表现出耐高温、低噪声、高速、高频和抗辐射能力强等优点，在通信、夜视技术和探测器等高科技领域有广泛应用。随着核技术和空间技术的发展，在辐射环境中使用半导体器件的需求日益增加。当前的商业生产上，液封直拉技术（LEC）和垂直梯度凝固技术（VGF）是生长大直径SI-GaAs单晶的两个主要工艺，因而研究电子辐照对这两种工艺SI-GaAs单晶性能的影响具有十分重要的现实意义。本文研究了电子辐照对大直径LEC和VGF工艺生长的SI-GaAs单晶结构特性和电特性的影响。采用超声AB腐蚀法，并用金相显微镜显示和观测位错、微缺陷的形貌，用傅立叶变换红外光谱仪测试EL2缺陷和杂质C浓度及其径向分布；用拉曼光谱测试电子辐照前后SI-GaAs单晶结构特性的变化；用霍尔测量系统分析不同辐照和退火条件对SI-GaAs单晶电参数的影响。结果表明，LEC SI-GaAs样品中的位错呈明显的胞状和网状的分布特征，VGF SI-GaAs样品中大多位错孤立存在，偶有少数位错相交。两种样品中的EL2缺陷和杂质C浓度相当，但径向的分布特征不同。SI-GaAs单晶的拉曼谱显示，电子辐照使两种样品的无序度增加，缺陷形态被改变，在LEC样品中表现为缺陷峰强度增大、数量增加，VGF样品表现为低能量辐照样品中缺陷峰峰位变化、高能量辐照样品中缺陷峰的数量减少。电子辐照使两种SI-GaAs单晶样品的电阻率增加、迁移率和载流子浓度减小；小剂量辐照LEC样品的迁移率变好；较高能量辐照的两种样品中，经不同退火温度处理后的电参数变化不明显，与高能辐照改变样品中缺陷形态有关；800℃快速退火处理后，样品导电类型均由n型转变为p型，载流子浓度急剧增加，电阻率和迁移率下降，这是由样品表面的As原子蒸发以及样品内部Asi外扩散共同作用的结果。