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大直径SI-GaAs单晶相关论文
电子辐照对大直径SI-GaAs单晶性能影响的研究
半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶属直接带隙半导体材料,具有半绝缘特性、很高的电子迁移率和较宽的禁带,使GaAs器件表现出耐高温、低噪声、......
学位
大直径SI-GaAs单晶
缺陷
电子辐照
拉曼谱
退火
电参数
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