【摘 要】
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4H-SiCMPS是很有前途的半导体功率整流器.该文对4H-SiCMPS的工作机理进行了模拟分析,优化设计了器件结构,并对其功率损耗特性进行了研究.模拟了4H-SiCMPS的输运特性,对其工作
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4H-SiCMPS是很有前途的半导体功率整流器.该文对4H-SiCMPS的工作机理进行了模拟分析,优化设计了器件结构,并对其功率损耗特性进行了研究.模拟了4H-SiCMPS的输运特性,对其工作机理进行了二维分析.通过对器件体内各物理量的定量分析,得出PN结对肖特基的作用是通过其耗尽层和两PN结之间的间隙来影响肖特基的导电沟道这一结论.提出了一种新的4H-SiCMPS解析模型.基于此模型,提出在对正反向特性进行折衷时,如何选择合适的外延层掺杂浓度和厚度、肖特基接触和PN结网格宽度、PN结深度和掺杂浓度.通过对4H-SiCMPS击穿特性的二维模拟,提出如何选择合适的PN结深度、外延层掺杂浓度和厚度以及如何运用JTE终端技术来提高击穿电压.建立了4H-SiCMPS的功率损耗的解析模型并对其功率损耗特性进行了计算.提出从功耗的角度考虑,4HSiCMPS存在一个最佳工作温度.
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