Ⅲ-Ⅴ族化合物被誉为是第三代半导体材料,其中由于氮化物具有宽的禁带宽度、高电子迁移率、发光效率高以及频率高等特点,被广泛的应用在蓝、紫光发光二极管以及半导体激光器上。随着发光材料技术的成熟,发光二极管以其长寿命、高效率、高亮度的优点,被广泛应用在交通信号灯、路灯以及大面积显示屏等照明显示行业,特别是氮化镓基发光二极管的快速发展,以蓝光发光二极管为基础的白光照明与全彩显示成为全球照明研发的热点。发光二极管已经有逐渐取代白炽灯的趋势,这也预示着半导体照明时代的来临。但是目前氮化镓基发光二极管主要存在两个问题,一是在高电流的注入下,外量子效率会下降(droop效应),二是氮化镓的折射率较高,光萃取效率差。因此解决这两个问题成为国内外的研究热点。本论文的主要研究工作为:1.研究不同成核层对发光二极管光电特性的影响。实验采用传统的有机金属化学气相沉积法生长氮化镓和氮化铝成核层以及物理沉积法生长氮化铝成核层。通过对三组样品的研究发现物理沉积法生长的氮化铝成核层外延后,晶体的品质是最好的,尤其是(002)面摇摆曲线的半高宽可以达到200 arcsec以下。三组样品都具有良好的二极管特性,在相同的正向电压下物理沉积法生长的成核层样品的电流较大,且-10 V逆向电压下漏电流最小。同时此样品的光输出功率也明显要高于其他两组样品。2.研究量子阱厚度对发光二极管droop的影响。量子阱的厚度从2.4 nm一直变化至3.6 nm,经过XRD的测量后发现所有样品的铟成分均相同,且厚度与预期较为符合。当量子阱厚度从2.4 nm增加至2.7 nm时,量子阱对载流子的局限能力增加,继续增加量子阱厚度,局限能力开始降低。样品的发光波长会随着量子阱厚度的增加而产生红移。红移现象越大代表样品量子限制斯塔克效应越明显。Droop效应的大小与量子阱厚度有明显的关系,量子阱越厚,可容纳的载流子数越多,droop的效应越小。3.研究TMIn预处理对蓝绿光发光二极管光电特性的影响。TMIn预处理不会明显的改变量子阱中铟的含量以及量子阱的厚度,但是会使得氮化铟镓层中的富铟区域明显增多,导致发光二极管的发光波长红移,且随着时间的增加,红移现象会越明显。TMIn预处理不会改变样品的I-V特性,但是可以改善发光二极管的droop效应。4.研究Zn O纳米棒改善发光二极管光萃取效率。使用溶液法生长Zn O纳米棒,通过改变生长溶液中组分的浓度,得到不同形貌的Zn O纳米棒,并研究Zn O纳米形貌对于光萃取效率的影响。本实验生长的Zn O纳米棒均呈现出沿c轴生长。生长溶液中氨水以及锌离子的浓度均会改变Zn O的纳米形貌,如长度,直径,排列密度等,并且在发光二极管上生长Zn O纳米棒之后可以明显改善其光萃取效率,同时也不会影响到器件的电学性质与发光的稳定性。