石墨烯的发现掀起大家研究二维材料的热潮,同时解决了对于单层二维晶体材料没有办法稳定存在的困扰,这对于二维层状材料的认识有着重要意义。研究发现石墨烯具有如高电子迁移率,狄拉克电子行为,量子霍尔效应等独特而且优异的物理学性能,这对新型的器件的产生带来的希望。通过研究由V族元素形成的二维材料时,发现制备的材料具有其他的新奇特性,这引起了对V族元素的研究热潮,尤其是由锑原子形成的锑烯,所具有的2.28e V的较大带隙,在电子器件上具有广泛应用。本论文是采取分子束外延方法,在硅衬底表面结构上和高定向裂解石墨（Highly oriented pyrolytic graphite,HOPG）衬底上进行锑烯的外延生长,研究在不同表面结构和衬底上锑原子生长情况。（1）本文采用硅衬底上通过制备铋膜,并对铋膜进行退火形成铋再构,在铋再构表面外延生长锑烯,铋与锑具有相似的六角晶格结构,将铋膜作为缓冲层,既可以对Si（111）-7×7进行钝化,又能外延生长锑烯,在不同的电流条件下进行退火,最终得到了α相和β相的铋再构,在β相表面生长锑膜,经扫描分析结果得出结论,在β相的铋再构表面边缘,锑原子呈三维式原子堆积,无法实现二维原子堆积。（2）Bi2Se3薄膜具有较低的表面能,适合外延生长二维材料,但在硅上无法长出锑烯,因此采用分子束外延技术在高定向热解石墨（HOPG）衬底上生长制备二维Bi2Se3薄膜。通过STM扫描测试,发现制备出的样品表面较为平整,说明成功在HOPG表面外延生长出平整的Bi2Se3薄膜。其主要原因是HOPG作为二维层状材料由石墨烯单层通过层间的范德华力堆叠而成的,面内为平面碳原子构成的六边形蜂巢式结构,利于其表面进行外延生长。随后进行锑烯的生长,在Bi2Se3薄膜表面成功外延生长出0.5ML的锑烯。