现代社会已经全面进入了信息化时代,传统的存储器已经不能满足日益增长的信息存储需求。相变存储器,作为新一代非易失性存储器的代表,拥有着超快的擦写速度、能与CMOS兼容、抗辐射等等优点。然而,减小单元尺寸,这一作为提高存储器存储密度的主要手段,却由于相变存储器单元间存在的热串扰现象而受到阻碍。可见,开展对相变存储器的热串扰研究是十分必要的。本文着重研究了相变存储阵列的热串扰现象。首先,利用光刻、溅射等工艺制作出三层结构的相变存储阵列。并利用有限元分析软件ANSYS,对以上三层结构的相变存储阵列进行了热电偶仿真,我们分析出相变存储阵列中的主要热量来源为焦耳效应,故选用SOLID227模型对单个单元、单元间距90纳米、100纳米、130纳米、160纳米的存储阵列进行了热分析,得到了不同情况下的热量分布曲线,并推断出此种结构的相变存储阵列的单元间距在130纳米以上时,热串扰现象对邻近单元的干扰已经可以不予考虑。接着,本文从相变存储阵列热串扰的测试需求出发,制作出了相变存储阵列的热串扰测试系统,此系统由相变存储阵列的选通模块、中心单元的激励模块、邻近单元的测试模块三个模块构成。并根据热串扰现象的不同类型,将测试流程分为两步。热串扰现象足以改变邻近单元的电阻时,称其为第一种热串扰现象,这时只需要在对中心单元施加激励的同时,对邻近单元的电阻进行测试。而在热串扰现象只对邻近单元造成瞬时的影响时,称其为第二种热串扰现象,此时则需要实时监测邻近单元的状态来达到测试目的。最后,利用前文中制备的相变存储阵列进行了两种热串扰现象的测量。