随着移动通信的高速发展,网络的扩容升级和基础设施的建设,成为目前国内通信业跨越式发展的必要条件,其中,室内覆盖分布系统工程则是一个庞大的工程。室内分布系统中的腔体耦合器,起着消除盲区、抑制干扰、稳定信号的作用,在移动通信信号分布上占有重要地位。为了提高传输特性,需要在这种微波腔体之内表面镀覆银层,这一工艺称为金属化。在国内,几乎都是采用化学电镀法对腔体进行金属化,不仅污染大,成本高,而且镀层与基底结合力差,容易脱落,这对耦合器内表面金属化课题提出了严峻的挑战。本课题尝试采用磁控溅射技术对耦合腔体进行金属化。通过建模仿真研究,确认采用一定膜厚配比的Cu/Ag复合膜系,完全可以代替银膜,实现各项微波性能,并降低生产成本；采用溅射工艺和复合膜系,成功地制备了结合力强、微波性能优良的耦合腔体内表面膜,为微波耦合腔体金属化的绿色制造提供了一种新途径。论文的主要研究内容与成果有：1.通过建模与仿真研究认为,对于800M-2500MHz频段的6dB腔体耦合器,使用几微米的Cu+Ag的复合膜系完全可以替代几十微米纯银膜进行金属化,并计算出Cu/Ag膜的最佳配比,不仅可以提高膜层与腔体的结合力,而且大大节省了金属化的成本,这为微波腔体的溅射金属化的可行性提供了理论依据与实验指导。2.采用磁控溅射工艺以及复合膜系结构,系统地研究了溅射工艺对腔体微波性能的影响,首次成功地实现了微波腔体内表面溅射金属化。研究结果表明：采用磁控溅射法沉积的2μm Cu/2μm Ag膜结构,与基体的结合力可达到4.9MPa,5.78-6.37dB以内,插损控制在1.34db以内,隔离度可达到23dB以上,其性能优于电镀纯Ag产品；这一工艺具有生产成本低,工艺无污染,性能优良等优点,为微波腔体的低成本无污染金属化提供了一种新途径。