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纳米硅线是新近合成的准一维半导体材料.可以使用激光蒸发、简单物理蒸发经学气相沉积(CVD)等方法制备纳米硅线.电镜分析显示,除直线型纳米硅线外,还存在螺旋型和 弯曲型等多种形态的纳米硅线.环境压强、催化剂、载气流量和温度等生长条件都会对纳米硅线的形态产生影响.基于对实验条件和纳米硅线形态的分析,该文提出了纳米硅线的生长模型,其核心是气-液-固(VLS)机制.这个模型可以很好地解释实验结果.