【摘 要】
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超大规模集成电路的布线尺寸由亚45nm至32nm及更深尺度10nm发展。随着集成电路的尺寸越来越小,性能的要求越来越高,传统的Al布线已经不能满足需求,寻找新的布线材料刻不容缓。因为Cu具有高的抗电迁移性,低的电阻率,高热导等优点成为新一代布线材料。但Cu互连存在诸多问题如：①Cu与Si之间易扩散；②Cu与Si的粘附性能差；③Cu易被氧化等问题。所以本文针对Cu与Si之间的扩散阻挡层问题进行研究。
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超大规模集成电路的布线尺寸由亚45nm至32nm及更深尺度10nm发展。随着集成电路的尺寸越来越小,性能的要求越来越高,传统的Al布线已经不能满足需求,寻找新的布线材料刻不容缓。因为Cu具有高的抗电迁移性,低的电阻率,高热导等优点成为新一代布线材料。但Cu互连存在诸多问题如：①Cu与Si之间易扩散；②Cu与Si的粘附性能差；③Cu易被氧化等问题。所以本文针对Cu与Si之间的扩散阻挡层问题进行研究。利用化学镀法在Cu与Si基底之间沉积RMoB (R=Ni/Co)薄膜作为Cu的扩散阻挡层,并分别对RMo
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