【摘 要】
：
卫星、雷达等微波通信系统中,微波负载等元器件的高频化、小型化和集成化一直都是国内外研究的热点方向;TaN薄膜因其优秀的物理化学特性而成为下一代射频及微波频域阻抗和负载的佼佼者;越来越多的研究者不断尝试把光刻工艺和薄膜沉积技术相结合,从而实现微波元器件的薄膜化、集成化。基于以上背景,本论文研究了在镍锌铁氧体基片上,TaN薄膜以及基于TaN薄膜的微波负载和集成微带隔离器的理论设计和制备工艺。探究了实验
论文部分内容阅读
卫星、雷达等微波通信系统中,微波负载等元器件的高频化、小型化和集成化一直都是国内外研究的热点方向;TaN薄膜因其优秀的物理化学特性而成为下一代射频及微波频域阻抗和负载的佼佼者;越来越多的研究者不断尝试把光刻工艺和薄膜沉积技术相结合,从而实现微波元器件的薄膜化、集成化。基于以上背景,本论文研究了在镍锌铁氧体基片上,TaN薄膜以及基于TaN薄膜的微波负载和集成微带隔离器的理论设计和制备工艺。探究了实验工艺参数对TaN薄膜多方面性能的影响;理论设计与软件仿真了微波集成组件,实际制备了能工作于高频段的TaN
其他文献
PET薄膜具有优异的机械性能、高透明度,并对氧气、水蒸气具有优异的阻隔性能,而被广泛应用在工业用膜、包装、和光电薄膜等领域。但是作为包装薄膜,PET薄膜易产生静电,从而会导致热封和困难、污染样品、导致器件失灵甚至引发爆炸等灾害。所以研究透明抗静电薄膜对生产生活具有很大的作用及意义。制备抗静电薄膜所用的导电材料大多是金属、金属氧化物、碳系材料、抗静电剂和导电聚合物等,但是这些材料存在诸多缺点,如成本
层层自组装技术(LBL)具有技术简单、易操作、成本低、环境友好且可以很好的控制膜厚等优点。氧化石墨烯(GO)是一种新型二维平面碳纳米材料,具有优异的光、电、磁等性能。其片层表面带有负电荷,并具有大的7c平面,易于吸附有机阳离子。本文利用GO的这一特点将阳离子型的光敏染料与GO进行层层自组装,制备得到两种多层复合薄膜,对复合薄膜结构及光电性能进行了详细表征。具体内容如下：首先将光学性能优异的阳离子型
本论文以十四氟己烷、全氟萘烷、1H,1H,2H-全氟-1-癸烯和全氟联苯为聚合单体,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在基片上来沉积氟碳薄膜。通过接触角测量仪来测定薄膜的静态水接触角(WCA)来分析其疏水性能,使用傅立叶红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)来分析其表面化学组成,通过原子力显微镜(AFM)来观察所沉积薄膜的表面形貌,关于薄膜的透明性我们选用紫外可见分光光度计(U
基于法拉第旋光效应的磁光器件广泛应用于光通信、光存储和光传感领域中。随着集成光学的发展,研制重量更轻,体积更小的小型化磁光器件是未来发展的趋势。基于薄膜材料的薄膜型磁光器件具有体积小、重量轻、结构简单、成本低等优点,广受研究人员青睐。本论文围绕YIG(Y3Fe5O12)靶材的制备和薄膜沉积来展开,并结合第一性原理理论来对材料进行理论计算,对材料的磁光性质进行研究。本文所用的第一性原理计算方法(Fi
随着微电子器件向小型化和集成化发展,高介电常数材料已在电子产业中得到了广泛的应用,尤其是在超级电容器及动态随机存储器(DRAM)等中有着重要的应用。BaTiO3等传统铁电体材料是常用的高介电常数材料,但是这类材料伴有铁电、弛豫和结构转变现象,使介电常数对于温度的变化比较敏感,长时间使用器件稳定性显著降低.近年来,具有立方钙钛矿结构的CaCu3Ti4O12(CCTO)材料因其巨介电性能而倍受人们的关
温度的变化会激发二氧化钒发生一级相变,比如,纯净的二氧化钒单晶体在68℃时电阻率将发生4-5个量级的突变,这是一种很典型的金属-绝缘体(MIT)相变,这样显著的变化不仅表现在电学性能方面,同时还反映在光学及磁性性能等方面。二氧化钒的这种突出的性质令其具有极大的潜在应用价值,但相比与块状二氧化钒,薄膜二氧化钒在实际应用中更为广泛,如热敏电阻、光致开关、智能玻璃窗涂层等应用领域。但对于不同的领域需要有
FeSi化合物的电学磁学性质多变,在电子学、光电、热电和磁学等领域有着广泛的应用,已逐渐成为人们关注和研究的热点材料。同时随着电子信息设备向着智能化、数字化、小型化、高频甚至超高频化方向进化,材料的薄膜化已是发展趋势。而FeSi薄膜的磁性能优良,在高频信息领域被广泛应用,因此,研究FeSi薄膜的高频磁性能显得十分必要。本文用磁控溅射法制备FeSi薄膜,通过改变基底材料、溅射功率和退火温度,研究不同
金属薄膜桥电火工品相对于传统金属桥丝电火工品具有点火功率小、可靠性高、能大面积集成等优点。但在实际应用中,金属薄膜桥的输出能量较低,桥与火药间少许的间隙可能导致不能成功发火。为进一步提高金属薄膜桥点火可靠性,本文采用磁控溅射法制备了不同调制周期的Al/NiO多层含能薄膜。通过掩膜工艺将Al/NiO多层薄膜集成到Cr薄膜桥上制成了(Al/NiO)_n/Cr复合薄膜点火器,对点火器的点火性能做了系统的
氧化钒作为一种具有典型半导体-金属相变特性的半导体材料,一直以来都备受关注。二氧化钒的相变温度约68℃,最接近室温,相变过程中伴随着光电性能的突变,使其在智能窗、光电开关、光学存储等领域具有广阔的应用前景。针对不同的应用,对二氧化钒薄膜相变特性要求有所不同,因此,二氧化钒薄膜相变性能的调控已成为该领域研究的热点。本文利用磁控溅射的方法制备掺杂稀土元素的氧化钒薄膜,并借助四探针测试仪、X射线衍射(X
近年来,因钙钛矿结构的铅卤化物(CH3NH3PbX3)光吸收材料具有低成本、制造容易、载流子输运性能优异、光吸收性能好、禁带宽度合适等优点,基于这类钙钛矿结构铅卤化物光吸收材料的光伏器件迅速发展,成为当今研究热点。本文以MgO(100)单晶作基片,采用双源共蒸发法制备了CH3NH3PbI3薄膜,探究了生长工艺参数对CH3NH3PbI3薄膜微观结构的影响,测试了优化工艺参数下制备的CH3NH3PbI